加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210322845.3
  • IPC分类号:H01L31/18;C30B33/10
  • 申请日期:
    2012-09-04
  • 申请人:
    江苏大学
著录项信息
专利名称一种正方形硅纳米孔阵列的制备方法
申请号CN201210322845.3申请日期2012-09-04
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-01-02公开/公告号CN102856434A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;3;0;B;3;3;/;1;0查看分类表>
申请人江苏大学申请人地址
江苏省镇江市京口区学府路301号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人江苏大学当前权利人江苏大学
发明人丁建宁;张福庆;袁宁一;程广贵;王秀琴;凌智勇;张忠强
代理机构南京经纬专利商标代理有限公司代理人楼高潮
摘要
本发明涉及硅纳米孔阵列,特指一种单面或双面正方形硅纳米孔阵列的制备方法。本发明在较低温度条件下,利用溶液的腐蚀性和金属粒子催化性相结合,在硅表面进行刻蚀得到方形硅纳米孔阵列。具体包括硅表面清洗的步骤、氢钝化硅片表面的步骤、正方形硅纳米孔阵列的制备步骤和多余银纳米颗粒去除的步骤,其特征在于:所述正方形硅纳米孔阵列的制备步骤为:在室温暗室环境下,将已经氢钝化表面的硅片放入到三号腐蚀液中刻蚀10~60min,处理好后用去离子水反复冲洗硅片的两个表面;所述三号溶液为HF酸和AgNO3的混合溶液,其中每升混合溶液中含有的HF酸为2.4~5mol,每升混合溶液中含有的AgNO3为0.01~0.05mol。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供