一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110361155.4
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2011-11-15
申请人：
上海华力微电子有限公司

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著录项信息

专利名称	一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法
申请号	CN201110361155.4	申请日期	2011-11-15
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-07-18	公开/公告号	CN102592968A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	毛智彪;胡友存;徐强
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	王敏杰

摘要

本发明提供一种多层金属-氮化硅-金属电容的制造方法，其步骤包括：1）在硅片衬底上首先利用等离子体增强型化学气相沉积方法（PECVD）沉积高k值氮化硅薄膜；2）通过光刻和刻蚀去除非MOM区域的氮化硅；3）沉积低k值介质层；4）化学机械研磨去除多余氮化硅，形成低k值介质和氮化硅的混合层；5）完成光刻和刻蚀在低k值介质和氮化硅中形成金属槽；6）完成金属层沉积和金属层化学机械研磨后形成导线和MOM电容器的金属填充；7）重复步骤（1）至步骤（6），形成多层MOM电容器。本发明有效地提高层内电容器的电容，并能有效地改善MOM电容器的击穿电压、漏电流等各电特性，以及各器件间的电学均匀性，非常适于实用。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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