制造半导体单晶装置

发明专利有效专利

申请号：
CN87101952
IPC分类号：--
申请日期：
1987-03-13
申请人：
日本钢管株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	制造半导体单晶装置
申请号	CN87101952	申请日期	1987-03-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	1987-09-23	公开/公告号	CN87101952
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	日本钢管株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本钢管株式会社	当前权利人	日本钢管株式会社
发明人	神尾宽;中冈一秀;荒木健治;村上胜彦;风间彰;堀江重豪
代理机构	中国专利代理有限公司	代理人	肖春京;肖掬昌

摘要

一种制造半导体单晶用的装置，制造时是在半导体材料转动的同时，逐步将熔融在坩埚中的半导体材料从熔融池中提拉，并使半导体材料凝固成圆形棒条，由此制出半导体单晶棒条。该装置至少包括一长条半导体原材料、加热装置、支撑装置和表面镇静装置。加热装置用以加热初始原料体以便在料下端形成熔体，支撑装置用以通过预定缝隙将料体支撑在熔融池上方，表面镇静装置则用以防止因料体滴入熔融池表面所引起的破坏及熔融池中心表面区的凝固。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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