一种半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610560734.4
IPC分类号：--
申请日期：
2016-07-15
申请人：
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体器件及其制造方法
申请号	CN201610560734.4	申请日期	2016-07-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-01-23	公开/公告号	CN107622947A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	北京市大兴区北京经济技术开发区文昌大道18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（北京）有限公司,中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	徐建华
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上预定形成金属栅极的区域上形成功函数金属层，其中，形成功函数金属层的方法包括步骤：交替沉积第一金属元素层和第二金属元素层若干次，直到形成预定厚度的功函数金属层。根据本发明的制造方法，通过多次交替沉积第一金属元素层和第二金属元素层的方法形成功函数金属层，并通过调整每次沉积的第一金属元素层和/或第二金属元素层的厚度，来实现对所述功函数金属中第一金属元素和第二金属元素的比例的调整，扩大了第一金属元素和第二金属元素的比例的调整范围，进而扩大了功函数和器件阈值电压的调制范围，提高了器件的整体性能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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