用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器

发明专利有效专利

申请号：
CN201410083939.9
IPC分类号：G11C11/419
申请日期：
2014-03-07
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器
申请号	CN201410083939.9	申请日期	2014-03-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-09	公开/公告号	CN104900259A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/419 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/41 用正反馈形成单元的，即，不需要刷新或电荷再生的单元。例如，双稳态多谐振荡器或施密特（Schmitt）触发器〔5〕 G11C11/413 辅助电路，例如，用于寻址的、译码的、驱动的、写入的、读出的、定时的或省电的〔5〕 G11C11/417 用于场效应型存储单元的〔5〕 G11C11/419 读写〔R-W〕电路〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;1;9查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	仲纪者
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	屈蘅;李时云

摘要

本发明提供了一种用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器，其中，所述用于静态随机存储器的存储单元包括：第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管和第三PMOS晶体管；第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管组成第一反相器；第二NMOS晶体管和第二PMOS晶体管组成第二反相器，第一反相器和第二反相器交叉耦合形成双稳态触发器；其中，第三NMOS晶体管与第一反相器的输出端连接，第三PMOS晶体管与所述第二反相器的输出端连接。在本发明提供的用于静态随机存储器的存储单元和静态随机存储器中，通过采用3个NMOS晶体管和3个PMOS晶体管，使得读取和写入相互独立，增大了读取和写入的冗余度，从而提高静态随机存储器读取状态的稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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该专利没有被任何外部专利所引用！

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