介电材料及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410090684.5
IPC分类号：H01B3/12;C04B35/462;H01G4/12
申请日期：
2004-11-12
申请人：
国巨股份有限公司

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著录项信息

专利名称	介电材料及其制备方法
申请号	CN200410090684.5	申请日期	2004-11-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-05-17	公开/公告号	CN1773631
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01B3/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01B 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择（磁性材料的选择入H01F 1/00；波导管入H01P） H01B3/00 按绝缘材料的特性区分的绝缘体或绝缘物体；绝缘或介电材料的性能的选择 H01B3/02 主要由无机物组成的 H01B3/12 陶瓷	IPC分类号	H;0;1;B;3;/;1;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;2;;;H;0;1;G;4;/;1;2查看分类表>
申请人	国巨股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国巨股份有限公司	当前权利人	国巨股份有限公司
发明人	李文熙;苏哲仪;杨义丰
代理机构	北京律盟知识产权代理有限责任公司	代理人	刘国伟;臧慧敏

摘要

本发明涉及一种新颖的钛酸锌(ZnTiO3)系统的介电材料，其组成具有如下通式：(Zn1-aMga)(Ti1-b-cMnbDc)dO3，其中，D为五价以上的元素，0≤a≤0.5，c≤b≤0.1，0＜c≤0.1，1≤d≤1.5，其具有超低温烧结、高品质因子、高可靠度及高耐压特性，并可用于制造具有高绝缘电阻值的低电容的积层陶瓷电容器。本发明还涉及该新颖钛酸锌系统的介电材料的制备方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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