层状复合结构可调控电容和压电应力调控介电的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510220750.4
IPC分类号：H01G7/06
申请日期：
2015-05-04
申请人：
北京大学

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专利名称	层状复合结构可调控电容和压电应力调控介电的方法
申请号	CN201510220750.4	申请日期	2015-05-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-02	公开/公告号	CN104882277A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01G7/06 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01G 电容器；电解型的电容器、整流器、检波器、开关器件、光敏器件或热敏器件（电介质专用材料的选择入H01B 3/00；电位跃迁或表面阻挡层的电容器入H01L 29/00） H01G7/00 用非机械方式改变电容量的电容器；其制造方法〔2〕 H01G7/06 所选用的电介质其介电常数随所加电压变化，即铁电电容器（驻极体入H01G 7/02）	IPC分类号	H;0;1;G;7;/;0;6查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	董蜀湘;慈鹏弘;刘国希
代理机构	北京万象新悦知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	苏爱华

摘要

本发明公布一种包括铁电压电片和铁电介电体的层状复合结构的可调控电容和通过施加静电场和利用压电效应产生的压电应力来调控复合结构中介电体电容的调控方法。所述铁电压电片和铁电介电体通过紧密粘接或共烧在一起构成多种层状复合结构；介电体为被调控的片状介电体；在静电场作用下，压电片产生的压电应力或应变传递给被调控的片状铁电介电体，铁电介电体因外应力作用其电畤界面状态发生变化，从而实现对介电电容的调控。本发明有效克服现有可调控电容存在的结构复杂及可调频率范围窄等缺点，具有制作工艺简单，便于实际使用等优点，可广泛用于可调控智能电子器件和设备领域。

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