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修调电阻及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810864142.0
  • IPC分类号:H01L23/525
  • 申请日期:
    2018-08-01
  • 申请人:
    深圳市南硕明泰科技有限公司
著录项信息
专利名称修调电阻及其制备方法
申请号CN201810864142.0申请日期2018-08-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-12-25公开/公告号CN109087904A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L23/525IPC分类号H;0;1;L;2;3;/;5;2;5查看分类表>
申请人深圳市南硕明泰科技有限公司申请人地址
四川省成都市武侯区晋吉南路28号1栋1单元4层29号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人成都光启机电设备工程有限公司当前权利人成都光启机电设备工程有限公司
发明人不公告发明人
代理机构上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)代理人暂无
摘要
本发明提供修调电阻包括熔丝区,熔丝区包括衬底、形成在衬底上的氧化层、形成在氧化层上的隔离层、形成在部分衬底及部分氧化层及隔离层上的介质层、形成在隔离层上及位于介质层之间的第一沟槽、位于第一沟槽上方的熔丝窗口及位于熔丝窗口两侧的修调窗口,形成在介质层上的第一金属层、形成位于第一沟槽的侧壁的第一金属层上的第二金属层、形成在第一金属层及第二金属层上的第三金属层、形成在位于熔丝窗口两侧的第三金属层上表面的第四金属层、形成在第四金属层上的钝化层,第一沟槽的侧壁与第一沟槽的底部之间形成倒角,熔丝窗口垂直于隔离层的投影区域包含在隔离层所在的区域内。本发明还提供修调电阻的制备方法,提高了修调效率和测试精度。

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