一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途

发明专利有效专利

申请号：
CN201710890817.4
IPC分类号：C30B29/46;C30B7/14
申请日期：
2016-01-29
申请人：
浙江大学

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专利名称	一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途
申请号	CN201710890817.4	申请日期	2016-01-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2018-03-09	公开/公告号	CN107779956A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/46 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/46 含硫、硒或碲的化合物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;4;6;;;C;3;0;B;7;/;1;4查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	刘毅;刘畅;侯佩佩;郑雪绒;沈亚英
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	傅朝栋;张法高

摘要

本发明公开了一种四元硫代砷酸盐化合物半导体材料及其制备方法和用途。以碱土金属氢氧化物、金属银、二元固溶体As2S3和单质S为原料，水合肼为溶剂，在160℃烘箱中反应4‑7天，得到四元硫属化合物半导体材料。化学组成式为SrAg4As2S6·H2O，本发明具有操作过程简单，原料简单且成本低，反应条件温和，合成温度低等优点。采用本发明得到的四元硫属化合物，产率可达到～50％，化学纯度高，用于制备光学半导体器件或太阳能电池过渡层材料。

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