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一种高锗IWV拓扑结构分子筛的合成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811137293.2
  • IPC分类号:C01B39/08;C01B39/04;C01B39/48
  • 申请日期:
    2018-09-28
  • 申请人:
    华东师范大学
著录项信息
专利名称一种高锗IWV拓扑结构分子筛的合成方法
申请号CN201811137293.2申请日期2018-09-28
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-12-21公开/公告号CN109052426A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B39/08IPC分类号C;0;1;B;3;9;/;0;8;;;C;0;1;B;3;9;/;0;4;;;C;0;1;B;3;9;/;4;8查看分类表>
申请人华东师范大学申请人地址
上海市闵行区东川路500号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华东师范大学当前权利人华东师范大学
发明人蒋金刚;焦美晨;李石擎;赵宇宏;吴鹏
代理机构上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙)代理人徐筱梅;张翔
摘要
本发明公开了一种高锗IWV拓扑结构分子筛的制备方法,其制备过程如下:将有机模板剂、水和硅源混合均匀,密封状态搅拌得到混合溶液;再加入锗源,搅拌澄清,敞口加热得到凝胶混合物;在160~180℃下,晶化10~25天,得到高锗型IWV分子筛。该合成过程以双咪唑离子液体作为有机模板剂,原料简单,投料硅锗比小于10,不添加氟化物,得到结晶完好,形貌独特的硅锗型IWV分子筛。整个制备过程绿色,无污染,对环境友好。本发明得到的IWV分子筛,具有很高的锗含量,更有利于结构的发展,为新型拓扑分子筛的产生提供了极其有利的条件。

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