用于功率器件改善Mark点形貌的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110940479.7
IPC分类号：H01L23/544;H01L21/02;G03F7/20
申请日期：
2021-08-17
申请人：
青岛佳恩半导体科技有限公司

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专利名称	用于功率器件改善Mark点形貌的制备方法
申请号	CN202110940479.7	申请日期	2021-08-17
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-11-19	公开/公告号	CN113675174A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/544 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/544 加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;4;4;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人	青岛佳恩半导体科技有限公司	申请人地址	山东省青岛市高新区宝源路780号41号楼103、104 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	青岛佳恩半导体科技有限公司	当前权利人	青岛佳恩半导体科技有限公司
发明人	王新强;王丕龙;杨玉珍;张永利;刘文
代理机构	武汉聚信汇智知识产权代理有限公司	代理人	刘丹

摘要

本发明提供了用于功率器件改善Mark点形貌的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，该用于功率器件改善Mark点形貌的制备方法包括步骤S1，提供一晶圆硅片，该晶圆硅片具有第一表面和第二表面，对晶圆硅片进行抛光处理；步骤S2，接着将晶圆硅片进行清洗，完成后放入高温炉中在第一表面形成一氧化层；步骤S3，接着在氧化层上淀积一绝缘层，并通过第一次光刻工艺在该绝缘层上形成Mark点；步骤S4，接着通过第二次光刻工艺，在Mark点上覆盖一层保护薄膜；步骤S5，接着在Mark点外生长一圆形的薄氧化层，在Mark点外形成一保护区；更进一步使机台更好的捕捉，使生产线更顺畅，减少了晶圆硅片报废率，提高了良品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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