低功率快擦写存储单元及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410069696.X
IPC分类号：--
申请日期：
2004-07-19
申请人：
夏普株式会社

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权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	低功率快擦写存储单元及方法
申请号	CN200410069696.X	申请日期	2004-07-19
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2005-03-09	公开/公告号	CN1591832
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	夏普株式会社	申请人地址	日本大阪市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	夏普株式会社	当前权利人	夏普株式会社
发明人	许胜籐;大野芳睦
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	郭煜;庞立志

摘要

本发明的目的是降低快擦写存储单元的编程电压。提供了形成快擦写存储单元的方法。该方法包括：在衬底上形成第1多晶硅层的工序；通过第1多晶硅层，直至衬底中形成沟槽的工序；向沟槽中填充氧化物层的工序；在氧化物上堆积第2多晶硅层的工序。得到的结构可进行平面化。高k电介质层可堆积在第1多晶硅层上。第3多晶硅层堆积在高k电介质层上，利用光刻胶形成图形，形成快擦写存储栅极结构。形成图形过程中，露出的第2多晶硅层被蚀刻。结束除去第2多晶硅层时，检测蚀刻停止。残留下第1多晶硅层的薄层，然后利用选择性蚀刻法小心除去。可对高k电介质层形成图形，使非存储晶体管的形成成为可能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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