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二极管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110212747.X
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329
  • 申请日期:
    2011-07-27
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称二极管及其制作方法
申请号CN201110212747.X申请日期2011-07-27
法律状态授权申报国家暂无
公开/公告日2013-01-30公开/公告号CN102903736A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;6;1;;;H;0;1;L;2;1;/;3;2;9查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人吕荫学;罗家俊
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人逯长明
摘要
本发明实施例公开了一种二极管及其制作方法,该方法包括:基底,所述基底包括阱区,阱区为所述二极管的第一电极区;位于阱区表面内的第二电极区和体引出区,体引出区为第一电极区的引出区,所述第一电极区和第二电极区的极性相反;位于阱区表面上的栅介质层以及位于栅介质层表面上的栅区,栅介质层位于第二电极区和体引出区之间,以隔离第二电极区和体引出区。本发明采用栅介质层代替现有技术中的场氧隔离区,同样起到了隔离多个器件的作用,由于栅介质层的厚度远远小于传统CMOS工艺中的二极管周边的场氧隔离区的厚度,使该二极管抗总剂量辐照效应的能力远远高于传统CMOS工艺中的二极管抗总剂量辐照效应的能力。

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