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去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈

发明专利有效专利

申请号：
CN201210137278.4
IPC分类号：G01R33/36
申请日期：
2012-05-04
申请人：
中国科学院深圳先进技术研究院

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法律信息

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著录项信息

专利名称	去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈
申请号	CN201210137278.4	申请日期	2012-05-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-08-15	公开/公告号	CN102636763A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01R33/36 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01R 测量电变量；测量磁变量（指示谐振电路的正确调谐入H03J 3/12） G01R33/00 测量磁变量的装置或仪器 G01R33/20 涉及磁共振（医学方面入A61B 5/055；磁共振陀螺测试仪入G01C 19/60）〔4，5〕 G01R33/28 G01R 33/44到G01R 33/64各组中仪器的零部件〔5〕 G01R33/32 激励或检测系统，例如用射频信号〔5〕 G01R33/36 电零部件，如与接收器匹配或耦合的线圈〔5〕	IPC分类号	G;0;1;R;3;3;/;3;6查看分类表>
申请人	中国科学院深圳先进技术研究院	申请人地址	广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院深圳先进技术研究院	当前权利人	中国科学院深圳先进技术研究院
发明人	章勇勤;邱本胜;刘新;郑海荣;宋怡彪
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	吴平

摘要

一种去耦装置及基于去耦装置的磁共振射频线圈，包括交错设置的双微带线单元，所述双微带线单元包括：金属导带及过孔连接件，所述过孔连接件介于所述金属导带之间，连接所述金属导带。金属导带双层布置，过孔连接件穿过金属导带，把上下两层的金属导带连接，形成了双微带线单元。两个双微带线单元相对交错放置，等效于去耦电感。而且双微带线单元成扁平状设置，尺寸更加小巧。

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