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用于制造结构的方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201380064142.8
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2013-12-02
  • 申请人:
    索泰克公司
著录项信息
专利名称用于制造结构的方法
申请号CN201380064142.8申请日期2013-12-02
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-08-26公开/公告号CN104871306A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人索泰克公司申请人地址
法国伯尔宁 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人索泰克公司当前权利人索泰克公司
发明人亚历山大·切布克;I·伯特兰;S·秘鲁;S·万;帕特里克·雷诺
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人吕俊刚;刘久亮
摘要
一种用于制造结构(3)的方法,该结构依次包括支撑基板(2)、介电层(10)、有源层(11)、多晶硅的分离层(20),该方法包括以下步骤:a)提供施主基板;b)在施主基板中形成脆变区域;c)提供支撑结构(2);d)在支撑基板(2)上形成分离层(20);e)形成介电层(10);f)组装施主基板(1)和支撑基板(2);g)沿着脆变区域断裂施主基板(1);h)对结构(3)进行至少10分钟的加强退火,该制造方法值得注意的地方在于,以如下方式执行步骤d),即,分离层(20)的多晶硅显示出完全随机的晶粒取向,并且在于在严格大于950℃和低于1200℃的温度下执行加强退火。

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供