氧化锡纳米敏感薄膜制备方法发明专利
申请号：CN200410033637.7
LOC分类号:
IPC结构图谱：
- H电学
- H9电学
- H01基本电气元件
- H01L半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕
- H01L23/00半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕
- H01L23/544加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案〔5〕
