氧化锡纳米敏感薄膜制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200410033637.7
IPC分类号：--
申请日期：
2004-04-14
申请人：
北京大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氧化锡纳米敏感薄膜制备方法
申请号	CN200410033637.7	申请日期	2004-04-14
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-19	公开/公告号	CN1683586
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	北京大学	申请人地址	北京市海淀区颐和园路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京大学	当前权利人	北京大学
发明人	刘晓娣;张大成;王玮;于晓梅;闫桂珍;田大宇;罗葵;李婷;李修函;胡维;王阳元
代理机构	北京君尚知识产权代理事务所	代理人	贾晓玲

摘要

本发明提供了一种氧化锡纳米敏感薄膜制备方法，属于气敏传感器的敏感材料制备领域。本发明采用磁控反应溅射方法使金属锡氧化，在硅片上生成锡的纳米量级氧化物薄膜，再进一步氧化、退火，即可制造出纳米晶粒氧化锡薄膜，该氧化锡纳米敏感薄膜具有氧化锡颗粒度小，比表面积大，厚度均匀(误差在纳米量级)等特点，且表面平整度高，在100倍显微镜下观察没有裂痕，有利于提高气敏传感器的灵敏度和稳定性，通过溅射时间严格地控制膜厚，可重复性高，适合于批量生产。本发明与集成电路工艺相兼容，污染小，极大地降低气体传感器的生产成本，扩展了传感器的应用领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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