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一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410582180.9
IPC分类号：H01L31/0216;H01L31/18;C23C18/12
申请日期：
2014-10-27
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法
申请号	CN201410582180.9	申请日期	2014-10-27
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-02-18	公开/公告号	CN104362187A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/0216 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件（H01L 51/42优先；由形成在一共用衬底内或其上的多个固态组件，而不是辐射敏感元件与一个或多个电光源的结合所组成的器件入H01L 27/00）〔2，6，8〕 H01L31/02 零部件〔2〕 H01L31/0216 涂层（H01L31/041优先）〔5，2014.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;8;/;1;2查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	上海市长宁区定西路1295号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所
发明人	李效民;丁绪坤;高相东;张树德
代理机构	上海瀚桥专利代理事务所（普通合伙）	代理人	曹芳玲;郑优丽

摘要

本发明涉及一种碘化铅和氧化铅复合物薄膜及其制备方法，所述碘化铅和氧化铅复合物薄膜的组成包括碘化铅和氧化铅，优选碘化铅和氧化铅之间的摩尔比为1:1~1:6。本发明属于薄膜制备领域，本发明旨在进一步拓展光电半导体薄膜的种类、并简化薄膜的制备方法，本发明制备的碘化铅和氧化铅复合物薄膜晶粒尺寸小，表面平整，在X射线成像和探测、气敏传感器、光学存储器件等领域有潜在应用。

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