一种SiC微米粉体的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200410103488.7
IPC分类号：C01B31/36
申请日期：
2004-12-30
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	一种SiC微米粉体的制备方法
申请号	CN200410103488.7	申请日期	2004-12-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-13	公开/公告号	CN1636870
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B31/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B31/36 （转入C01B 32/956-C01B 32/991）	IPC分类号	C;0;1;B;3;1;/;3;6查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	时利民;赵宏生;唐春和;闫迎辉;梁彤祥;李自强
代理机构	北京众合诚成知识产权代理有限公司	代理人	李光松

摘要

本发明公开了属于无机材料制备技术领域的一种SiC微米粉体的制备方法。首先采用包混工艺将粒度小于15微米的Si源、碳源和酒精按质量比混合，然后进行高温碳化处理及高温烧结处理，最终获得粒度达到微米级至亚微米级，甚至粒度能达到纳米级的SiC粉体。本方法可大大降低成本、且工艺实施简单、容易过渡到大批量生产、是一种能够制备微米级以至于亚微米级、纳米级的碳化硅粉体制备方法。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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