半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200980110483.8
IPC分类号：H01L21/338;C23C16/34;C30B29/38;H01L21/20;H01L21/205;H01L29/201;H01L29/778;H01L29/812
申请日期：
2009-03-13
申请人：
日本碍子株式会社

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专利名称	半导体元件用外延基板、半导体元件及半导体元件用外延基板的制作方法
申请号	CN200980110483.8	申请日期	2009-03-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-02-23	公开/公告号	CN101981677A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/338 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/338 带有肖特基栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;8;;;C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;3;0;B;2;9;/;3;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;9;/;2;0;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;8;1;2查看分类表>
申请人	日本碍子株式会社	申请人地址	日本爱知县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日本碍子株式会社	当前权利人	日本碍子株式会社
发明人	三好实人;仓冈义孝;角谷茂明;田中光浩
代理机构	北京北翔知识产权代理有限公司	代理人	杨勇;郑建晖

摘要

提供一种外延基板，所述外延基板具有良好的二维电子气特性且由应变产生的内部应力减小。采用的解决手段为，以组成为Inx1Aly1Gaz1N(x1+y1+z1＝1)、在由x1＝0、0≤y1≤0.3确定的范围内的第一III族氮化物形成沟道层；以组成为Inx2Aly2Gaz2N(x2+y2+z2＝1)的第二III族氮化物形成势垒层，所述第二III族氮化物的组成是在以InN、AlN、GaN为顶点的三元相图上，根据所述第一III族氮化物的组成(AlN摩尔分数)确定的五条直线所围成的范围内。

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