首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

制备晶体薄膜的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200610086558.1
IPC分类号：G02B5/30;C09K19/00
申请日期：
2006-06-22
申请人：
日东电工株式会社

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制备晶体薄膜的方法
申请号	CN200610086558.1	申请日期	2006-06-22
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2006-12-27	公开/公告号	CN1885068
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02B5/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02B 光学元件、系统或仪器（G02F优先；专用于照明装置或系统的光学元件入F21V 1/00至F21V 13/00；测量仪器见G01类的有关小类，例如，光学测距仪入G01C；光学元件、系统或仪器的测试入G01M 11/00；眼镜入G02C；摄影、放映或观看用的装置或设备入G03B；声透镜入G10K 11/30；电子和离子“光学”入H01J；X射线“光学”入H01J，H05G 1/00；结构上与放电管相组合的光学元件入H01J 5/16，H01J 29/89，H01J 37/22；微波“光学”入H01Q；光学元件与电视接收机的组合装置入H04N 5/72；彩色电视系统中的光学系统或装置入H04N 9/00；专门适用于透明或反射区的加热装置入H05B 3/84）〔1，7〕 G02B5/00 除透镜外的光学元件（光波导入G02B 6/00；光学逻辑元件入G02F 3/00）〔4〕 G02B5/30 偏振元件（光调制器件入G02F 1/00）	IPC分类号	G;0;2;B;5;/;3;0;;;C;0;9;K;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	日东电工株式会社	申请人地址	日本大阪府茨木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日东电工株式会社	当前权利人	日东电工株式会社
发明人	I·V·卡夫罗恩雅克;P·I·拉扎列夫;K·P·洛夫特斯基;M·V·波克施托
代理机构	北京北翔知识产权代理有限公司	代理人	唐铁军;钟守期

摘要

本发明提供了一种旨在有选择性地使液晶体系的生产技术及组成最优化的方法，用以获得具有预定物理性能的晶体薄膜(TCF)，进而将其用于制备晶体薄膜。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供