锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用

发明专利无效专利

申请号：
CN200910238148.8
IPC分类号：--
申请日期：
2009-11-16
申请人：
中国科学技术大学

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著录项信息

专利名称	锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用
申请号	CN200910238148.8	申请日期	2009-11-16
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-11-03	公开/公告号	CN101876054A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国科学技术大学	申请人地址	安徽省合肥市金寨路96号中国科技大学科技处变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学技术大学	当前权利人	中国科学技术大学
发明人	张福恒;谌平凡;黄振;吴文彬
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	关畅

摘要

本发明公开了一种锰氧化物外延薄膜及其制备方法与应用。该薄膜，是按照包括如下步骤的方法制备得到的：利用脉冲激光沉积的方法，在NdGaO3(110)单晶基片上外延生长(La1-XPrX)0.67Ca0.33MnO3薄膜，沉积结束后原位退火降至室温，再于氧气气氛中进行退火，得到所述外延薄膜。本发明提供的锰氧化物外延薄膜，在Pr掺杂及其与(110)取向的NdGaO3单晶基片应力的共同作用下，显著提高了薄膜的电阻的温度系数TCR，最高可达80％。该薄膜在红外探测器领域具有广阔的应用前景，能够大大提高红外探测器的灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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