具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210292672.5
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/677;H01L21/02
申请日期：
2012-08-16
申请人：
上海华力微电子有限公司

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专利名称	具有存片槽的薄膜工艺系统及其存取片方法
申请号	CN201210292672.5	申请日期	2012-08-16
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-12	公开/公告号	CN102820245A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;7;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	上海华力微电子有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华力微电子有限公司	当前权利人	上海华力微电子有限公司
发明人	黄海
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	陆花

摘要

一种具有存片槽的薄膜工艺系统，包括依次顺序连接的晶片存储单元、晶片传输腔体、真空送片腔、工艺腔，以及设置在所述晶片传输腔体和所述真空送片腔之间的真空存片腔。所述真空存片腔进一步包括具有与所述真空存片腔连通的泵抽单元，所述泵抽单元用于为所述真空存片腔提供真空氛围或者大气氛围，且在所述真空存片腔内活动设置所述存片槽。本发明所述具有存片槽的薄膜工艺系统通过增加具有活动设置存片槽的真空存片腔不仅有效的减少已工艺晶片存在风险的等候时间，并避免已经过薄膜工艺的晶片和待工艺晶片之间的相互影响，而且规避了潜在风险，提高了产品性能和品质。

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