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改进用于MRI的低噪声前置放大器的输入阻抗

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201080032378.X
  • IPC分类号:H03F1/08;H03F1/10;H03F3/193
  • 申请日期:
    2010-05-17
  • 申请人:
    皇家飞利浦电子股份有限公司
著录项信息
专利名称改进用于MRI的低噪声前置放大器的输入阻抗
申请号CN201080032378.X申请日期2010-05-17
法律状态权利终止申报国家暂无
公开/公告日2012-11-28公开/公告号CN102804595A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03F1/08IPC分类号H;0;3;F;1;/;0;8;;;H;0;3;F;1;/;1;0;;;H;0;3;F;3;/;1;9;3查看分类表>
申请人皇家飞利浦电子股份有限公司申请人地址
荷兰艾恩德霍芬 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人皇家飞利浦电子股份有限公司当前权利人皇家飞利浦电子股份有限公司
发明人A·赖高斯基
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人王英;刘炳胜
摘要
前置放大器(46)包括具有公共源极配置的场效应晶体管(64)。当场效应晶体管的栅极被耦合到放大器输入电路(例如MRI线圈)时,场效应晶体管(64)的漏极被耦合到放大器输出端。该前置放大器还包括第一源-地连接部(66)和第二源-地连接部(68)。第一源-地引线(66)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输入电路的接地节点,而第二源-地引线(68)将场效应晶体管的源极耦合到放大器输出电路的接地节点。结果,放大器输出电流基本在第二源-地引线(68)两端生成电压降。因此,放大器输入电路较少地受到任何公共源-地连接部两端的任何公共电压降的影响。

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