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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

肖特基器件

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200580017337.2
  • IPC分类号:H01L29/36;H01L29/80;H01L27/01
  • 申请日期:
    2005-04-26
  • 申请人:
    飞思卡尔半导体公司
著录项信息
专利名称肖特基器件
申请号CN200580017337.2申请日期2005-04-26
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2008-03-12公开/公告号CN101142684
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/36IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;8;0;;;H;0;1;L;2;7;/;0;1查看分类表>
申请人飞思卡尔半导体公司申请人地址
美国得克萨斯 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人飞思卡尔半导体公司当前权利人飞思卡尔半导体公司
发明人维杰伊·帕萨撒拉希;维施努·K.·基姆卡;朱荣华;阿米塔瓦·博斯
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人杜娟
摘要
常规的肖特基二极管(16)或具有肖特基二极管特性的器件(90)与MOS晶体管(18、92)串行耦合,以对漏电流和击穿电压提供了显著的改进,而前向电流只有小的降低。在反向偏置情况下,有一个小的反向偏置电流,但通过肖特基二极管(16、90)的电压由于MOS晶体管(18、92)而保持较小。几乎所有的反向偏置电压都通过MOS晶体管(18、92),直至MOS晶体管(18、92)损坏。然而,因为肖特基二极管限制了电流,所以该晶体管损坏不是一开始就损坏的。随着反向偏置电压持续增加,肖特基二极管(16、90)开始吸收更多的电压。这增加了漏电流,而击穿电压相当于晶体管(18、92)和肖特基二极管(16、90)之间的和。

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