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基于虚拟阵列零陷加宽的自适应波束形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711027422.8
  • IPC分类号:H04B7/08
  • 申请日期:
    2017-10-27
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称基于虚拟阵列零陷加宽的自适应波束形成方法
申请号CN201711027422.8申请日期2017-10-27
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-05-01公开/公告号CN107979404A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H04B7/08IPC分类号H;0;4;B;7;/;0;8查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人相征;任鹏;张钰炜;任怡
代理机构陕西电子工业专利中心代理人王品华
摘要
本发明提出了一种基于虚拟阵列零陷加宽的自适应波束形成方法,主要解决现有技术中由于接收平台的震动、干扰位置快速变化引起的干扰偏移从而不能被对消的问题。其实现步骤为:1.获取均匀天线阵列的相关参数、来波信号的相关参数;2.利用天线阵列的接收数据,加入离散虚拟干扰,构建天线阵列新的接收数据;3.利用阵列天线的相关参数计算期望信号的方向矢量;4.利用克罗内克积Kronecker生成虚拟接收数据和虚拟导向矢量及期望信号的方向矢量,计算零陷加宽后的自适应波束形成的最优权系数。本发明通过构造四阶累积矩阵弥补了增加离散干扰时天线损失的孔径,加宽了干扰信号的零陷,提升了抗干扰性能,可用于信号处理系统。

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