底接式整体散热功率LED

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020653333.1
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/64;H01L25/075
申请日期：
2010-12-11
申请人：
山东开元电子有限公司

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著录项信息

专利名称	底接式整体散热功率LED
申请号	CN201020653333.1	申请日期	2010-12-11
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	山东开元电子有限公司	申请人地址	山东省潍坊市昌乐县温州工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东开元电子有限公司	当前权利人	山东开元电子有限公司
发明人	刘树高;安建春
代理机构	潍坊鸢都专利事务所	代理人	王庆德

摘要

本实用新型公开了一种底接式整体散热LED，包括基体、芯片、键合线、电极、荧光粉和封装透镜，所述基体设有一体式尾柱，所述尾柱上设有外螺纹，基体顶面设有芯片；沿基体轴向设有贯通的电极引脚孔，电极贯穿引脚孔并与基体绝缘相接。本实用新型组装时基体直接旋拧在外散热器上，芯片热量经基体直接传到散热器上，导热好，热阻少，散热面积大，光衰低。连接线路在基体底部，表面无接线，不仅整体美观，而且省去了PCB板，省工省料，节约制作成本20-30%。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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