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获得大单晶含镓氮化物的方法的改进

发明专利有效专利

申请号：
CN03814793.9
IPC分类号：C30B9/00;C30B29/40
申请日期：
2003-04-17
申请人：
波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
申请号	CN03814793.9	申请日期	2003-04-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2005-10-12	公开/公告号	CN1681974
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B9/00 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B9/00 使用熔融态溶剂之熔体的单晶生长（用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B 11/00；用区域熔融法的入C30B 13/00；晶体提拉法入C30B 15/00；在浸入的晶种上的入C30B 17/00；液相外延生长法入C30B 19/00；在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;9;/;0;0;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	波兰商艾蒙诺公司;日亚化学工业株式会社	申请人地址	波兰华沙变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	波兰商艾蒙诺公司,日亚化学工业株式会社	当前权利人	波兰商艾蒙诺公司,日亚化学工业株式会社
发明人	R·德林斯基;R·多拉德仁斯基;J·加尔科钦斯基;L·P·谢拉兹普托斯基;神原康雄
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	陈平

摘要

本发明涉及在超临界含氨溶液的环境中用于晶体生长方法的新改进，这些改进以特殊的叠氮化物矿化剂的使用为基础，并得到了改进的大的Ⅷ族元素氮化物单晶，尤其是主要用于各种氮化物基的半导体产品如各种光电装置的大单晶含镓氮化物。本发明还涉及一种用于超临界含氨溶液的矿化剂，它含有选自LiN3、NaN3、KN3和CsN3中的至少一种化合物。

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