一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201620528439.6
IPC分类号：H01L27/15;H01L29/778;H01L33/00;H01L21/335
申请日期：
2016-06-03
申请人：
华南理工大学

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专利名称	一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构
申请号	CN201620528439.6	申请日期	2016-06-03
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L27/15 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L27/00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件（其零部件入H01L 23/00，H01L 29/00至H01L 51/00；由多个单个固态器件组成的组装件入H01L 25/00）〔2，8〕 H01L27/15 包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;7;/;1;5;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5查看分类表>
申请人	华南理工大学	申请人地址	广东省广州市天河区五山路381号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华南理工大学	当前权利人	华南理工大学
发明人	徐明升;王洪;周泉斌
代理机构	广州粤高专利商标代理有限公司	代理人	何淑珍

摘要

本实用新型提供一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构。发光二极管包括：衬底、非掺杂GaN缓冲层、N型GaN导电层、多量子阱有源区、P型氮化镓导电层、电流扩展层、P电极、高阻氮化镓沟道层、AlGaN势垒层、源电极、栅电极；本实用新型涉及具有集成放大电路的氮化镓基LED结构，避免了分离器件电路连接存在的寄生电容、电感，将控制LED通断的电极设计在芯片内部，可以有效改善发光器件整体的响应频率，提高基于氮化镓基LED的可见光通信速率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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