非易失性存储器器件

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201320391925.4
IPC分类号：G11C16/02;G11C5/02
申请日期：
2013-06-25
申请人：
意法半导体股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	非易失性存储器器件
申请号	CN201320391925.4	申请日期	2013-06-25
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;5;/;0;2查看分类表>
申请人	意法半导体股份有限公司	申请人地址	意大利阿格拉布里安扎变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	意法半导体股份有限公司	当前权利人	意法半导体股份有限公司
发明人	F·托里切利;L·科拉朗奥;A·里奇利;Z·科瓦克斯-瓦杰纳
代理机构	北京市金杜律师事务所	代理人	王茂华

摘要

本实用新型公开了一种非易失性存储器器件，包括：本体(12)，至少容纳第一半导体阱(14)和第二半导体阱(15)；绝缘结构(27)；以及至少一个非易失性存储器单元(2，2’)。该单元(2，2’)包括：在第一阱(14)中的至少一个第一控制区域(16)；在第二阱(15)中的传导区域(18-20)；以及浮置栅极区域(23)，其在第一阱(14)和第二阱(15)的一部分之上延伸，电容性地耦合到第一控制区域(16)并且与传导区域(18-20)一起形成浮置栅极存储器晶体管(30)。绝缘结构(27)包括：第一绝缘区域(28)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)以及与传导区域(18-20)分开，并且具有第一厚度(D1)；以及第二绝缘区域(29)，其将浮置栅极区域(23)与第一控制区域(16)外部的第一阱(14)分开，并且具有大于第一厚度(D1)的第二厚度(D2)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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