一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201410513165.9
IPC分类号：C25D11/30
申请日期：
2014-09-29
申请人：
哈尔滨工业大学

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专利名称	一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法
申请号	CN201410513165.9	申请日期	2014-09-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-12-24	公开/公告号	CN104233432A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D11/30 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D11/00 表面反应，即形成转化层的电解覆层〔2〕 C25D11/02 阳极氧化〔2〕 C25D11/30 镁或以其为基之合金的〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;1;1;/;3;0查看分类表>
申请人	哈尔滨工业大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨工业大学	当前权利人	哈尔滨工业大学
发明人	姚忠平;夏琦兴;李超楠;姜兆华
代理机构	哈尔滨市松花江专利商标事务所	代理人	牟永林

摘要

一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法，它涉及一种镁锂合金功能化热控涂层的制备方法。本发明的目的是要解决现有镁锂合金自身存在低红外辐射率，不能应用在热控系统中的问题。步骤：一、镁锂合金前处理；二、微弧氧化，得到在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层。本发明制备的涂层与基体结合良好，抗热震性能好，太阳吸收比为0.22～0.40，辐射率达0.9～0.97。本发明拓宽了镁锂合金在空间领域的应用范围，而其重量相比于铝基涂层减少30％～40％。本发明可获得一种在镁锂合金表面原位生长的低太阳吸收比高红外辐射率陶瓷热控涂层的制备方法。

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