复合基板、压电元件以及复合基板的制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201980049611.6
IPC分类号：C30B33/06;C30B29/16;C30B29/18;C30B29/30;H01L41/312;H03H3/08;H03H9/25
申请日期：
2019-07-29
申请人：
京瓷株式会社

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专利名称	复合基板、压电元件以及复合基板的制造方法
申请号	CN201980049611.6	申请日期	2019-07-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-19	公开/公告号	CN112534089A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B33/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B33/00 单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理（C30B 31/00优先）〔3，5〕 C30B33/06 晶体的接合〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;3;/;0;6;;;C;3;0;B;2;9;/;1;6;;;C;3;0;B;2;9;/;1;8;;;C;3;0;B;2;9;/;3;0;;;H;0;1;L;4;1;/;3;1;2;;;H;0;3;H;3;/;0;8;;;H;0;3;H;9;/;2;5查看分类表>
申请人	京瓷株式会社	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	京瓷株式会社	当前权利人	京瓷株式会社
发明人	梅原干裕;光田国文
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	王晖

摘要

本公开的复合基板是通过将压电基板和蓝宝石基板直接接合而成的复合基板，所述蓝宝石基板的包含与所述压电基板接合的接合面的接合面区域中的氧的原子数相对于铝的原子数之比小于1.5。本公开的压电元件具备所述复合基板。本公开的复合基板的制造方法具备：准备压电基板和蓝宝石基板的工序；在还原气氛或真空中对所述蓝宝石基板进行热处理的工序；以及将所述压电基板和所述蓝宝石基板直接接合的工序。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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