一种半导体晶体生长方法和装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201910357352.5
IPC分类号：C30B15/20;C30B15/02;C30B29/06
申请日期：
2019-04-29
申请人：
上海新昇半导体科技有限公司

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专利名称	一种半导体晶体生长方法和装置
申请号	CN201910357352.5	申请日期	2019-04-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-10-30	公开/公告号	CN111850681A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B15/20 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B15/00 熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法（在保护流体下的入C30B 27/00）〔3〕 C30B15/20 控制或调节（一般的控制或调节入G05）〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;1;5;/;2;0;;;C;3;0;B;1;5;/;0;2;;;C;3;0;B;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	上海新昇半导体科技有限公司	申请人地址	上海市浦东新区临港新城云水路1000号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新昇半导体科技有限公司	当前权利人	上海新昇半导体科技有限公司
发明人	沈伟民;王刚;黄瀚艺;刘赟
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明提供一种半导体晶体生长方法和装置。所述半导体晶体生长方法包括：获取石墨坩埚在首次用于半导体晶体生长过程时的初始位置CP0；获取所述石墨坩埚的当前生产批次N，所述当前生产批次N表征所述石墨坩埚当前用来进行的半导体晶体生长过程的次数；根据所述当前生产批次N在所述石墨坩埚内套设的石英坩埚内装入多晶硅原料，其中，所述多晶硅原料的总重量称为装料量W(N)，所述装料量W(N)根据当前生产批次N进行调整，以在保持所述石墨坩埚的初始位置CP0不变的同时，使所述石英坩埚内硅熔体液面的初始位置保持稳定。根据本发明，保证了拉晶过程中各参数的稳定，提升了拉晶的速度和拉晶的质量。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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