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用于准分子固化的方法和设备

发明专利无效专利

申请号：
CN200980114112.7
IPC分类号：H01L21/324;H01L21/205
申请日期：
2009-04-16
申请人：
应用材料股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	用于准分子固化的方法和设备
申请号	CN200980114112.7	申请日期	2009-04-16
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-13	公开/公告号	CN102017100A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/324 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/324 用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结（H01L21/20至H01L21/288，H01L21/302至H01L21/322优先）〔2，2006.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人	应用材料股份有限公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	应用材料公司	当前权利人	应用材料公司
发明人	迪米特里·卢伯米尔斯基;穆罕默德·M·拉希德;怡利·Y·叶
代理机构	北京律诚同业知识产权代理有限公司	代理人	徐金国;钟强

摘要

提供了一种用于产生准分子辐射的设备。所述设备包括具有外壳壁的外壳，在所述外壳内配置了电极。在所述电极周围为管状主体。所述管状主体包括外壁与内壁。至少一种惰性气体在所述外壁与所述内壁之间，其中所述外壳壁与所述电极是配置用以激发所述惰性气体，以发出用于进行固化的准分子光。

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