具有增加的效率的VCSEL阵列

发明专利有效专利

申请号：
CN201280012332.0
IPC分类号：H01S5/42;H01S5/183
申请日期：
2012-03-02
申请人：
皇家飞利浦有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	具有增加的效率的VCSEL阵列
申请号	CN201280012332.0	申请日期	2012-03-02
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-20	公开/公告号	CN103403986A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/40 在H01S 5/02至H01S 5/30各组中不包含的两个或两个以上半导体激光器装置（H01S 5/50优先）〔7〕 H01S5/42 面发射激光器的排列〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;4;2;;;H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	皇家飞利浦有限公司	申请人地址	德国乌尔姆变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	通快光电器件有限公司	当前权利人	通快光电器件有限公司
发明人	P.H.格拉奇
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	李亚非;汪扬

摘要

本发明涉及一种VCSEL阵列，其包括在公共衬底（1）上并排布置的若干VCSEL。每个VCSEL至少由顶部镜（5，14）、有源区（4）、电流注入层（3）和未掺杂的底部半导体镜（2）形成。所述电流注入层（3）设置在所述有源区（4）与所述底部半导体镜（2）之间。所述衬底（1）的至少上层是导电的。沟槽（8）和/或孔在所述VCSEL的所述底部半导体镜（2）之间形成到所述衬底（1）的所述上层。金属化部（9）通过所述沟槽（8）和/或孔将所述衬底（1）的所述上层与所述电流注入层（3）电连接。所提出的VCSEL阵列允许均匀的电流注入并且具有高的效率和功率密度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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