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半导体器件的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200910004887.0
  • IPC分类号:H01L21/50
  • 申请日期:
    2009-02-04
  • 申请人:
    株式会社瑞萨科技
著录项信息
专利名称半导体器件的制备方法
申请号CN200910004887.0申请日期2009-02-04
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2009-08-26公开/公告号CN101515551
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/50IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;5;0查看分类表>
申请人株式会社瑞萨科技申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人瑞萨电子株式会社当前权利人瑞萨电子株式会社
发明人武藤晃;小池信也;新井克夫;藤城敦
代理机构北京市金杜律师事务所代理人王茂华;郑菊
摘要
树脂密封的半导体封装的辐射性能得到提高并且其出产量增加。与半导体芯片的背表面漏极电极相耦合的漏极端子在密闭树脂部分的背表面处暴露。下述部分以及端子的一部分在密闭树脂部分的顶表面处暴露:与半导体芯片的源极焊盘电极相耦合的源极端子的第一部分以及与半导体芯片的栅极焊盘电极相耦合的栅极端子。源极端子以及栅极端子的第二部分的剩余部分暴露在密闭树脂部分的背表面处。当制备这种半导体器件时,在漏极端子和半导体芯片之间放置键合材料和膜构件。同时,在源极端子3和栅极端子以及半导体芯片之间放置膏状键合材料和膜构件。该膏状键合材料被固化并且变成键合材料。使用膜构件的结果是,键合材料厚度的变化被抑制。

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