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一种用于稳定晶格的磷属化物纳米复合结构

发明专利有效专利

申请号：
CN202080014169.6
IPC分类号：H01L21/02
申请日期：
2020-02-07
申请人：
IQE公开有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种用于稳定晶格的磷属化物纳米复合结构
申请号	CN202080014169.6	申请日期	2020-02-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-21	公开/公告号	CN113424296A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2查看分类表>
申请人	IQE公开有限公司	申请人地址	英国加的夫变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	IQE公开有限公司	当前权利人	IQE公开有限公司
发明人	A·克拉克;R·佩尔策尔;M·德伯纳斯;R·达尔基斯;R·延卡
代理机构	中国贸促会专利商标事务所有限公司	代理人	李跃龙

摘要

一种用于半导体应用的层状结构如本文所述。该层状结构包括I I I‑V半导体，并利用磷属化物纳米复合体来控制一系列层中的晶格畸变。调节该畸变以桥接由二元I I I‑V半导体间的晶格失配。在一些实施方案中，该层状结构更包括位错过滤体。

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