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低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110263766.5
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/08
  • 申请日期:
    2011-09-07
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称低源漏接触电阻MOSFETs及其制造方法
申请号CN201110263766.5申请日期2011-09-07
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-03-20公开/公告号CN102983163A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人罗军;赵超
代理机构北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙)代理人陈红
摘要
本发明公开了一种有效降低了源漏接触电阻的MOSFET及其制作方法,包括:衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、栅极堆叠结构两侧衬底上的栅极侧墙、栅极侧墙两侧源漏区上的金属硅化物,其特征在于:金属硅化物与源漏区的界面处具有掺杂离子的分凝区。依照本发明的能有效降低源漏接触电阻的器件及其制造方法,在金属硅化物的源漏接触与掺杂源漏区之间的界面处具有掺杂离子的分凝区,能有效降低肖特基势垒高度,从而大大降低了源漏接触电阻,进一步提高了器件的性能。

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