去耦控制电路及半导体电路

发明专利有效专利

申请号：
CN201010217944.6
IPC分类号：G11C5/14
申请日期：
2010-06-23
申请人：
上海宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	去耦控制电路及半导体电路
申请号	CN201010217944.6	申请日期	2010-06-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-12-28	公开/公告号	CN102298957A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C5/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C5/00 包括在G11C 11/00组中的存储器零部件 G11C5/14 电源装置（用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193；一般入G05F，H02J，H02M）〔5，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;5;/;1;4查看分类表>
申请人	上海宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	杨光军
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

一种去耦控制电路及半导体电路，去耦控制电路包括：第一电源端和第二电源端；控制信号产生电路，根据第一电源端的第一电源电压与参考电压进行比较，输出第一使能信号和第二使能信号；第一去耦电容和第一通路开关串联于第一电源端和第二电源端之间；第一通路开关受第一使能信号控制；第二电容和第二通路开关串联于第一电源端和第二电源端之间；第二通路开关受第二使能信号控制；第三通路开关位于第一去耦电容和第二去耦电容之间；第三通路开关受第一使能信号和第二使能信号控制。本发明设置至少两个去耦电容和多个通路开关，通过两个去耦电容串联和/或并联，能适用于不同大小电源电压的状况，确保了去耦控制电路的去耦效率和灵敏度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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