固体摄像装置、光传感器及固体摄像装置的动作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200580018434.3
IPC分类号：H04N5/335;H01L27/146
申请日期：
2005-04-12
申请人：
须川成利;日本德州仪器株式会社

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著录项信息

专利名称	固体摄像装置、光传感器及固体摄像装置的动作方法
申请号	CN200580018434.3	申请日期	2005-04-12
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2007-05-16	公开/公告号	CN1965572
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04N5/335 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04N 图像通信，如电视 H04N5/00 电视系统的零部件（扫描部件或其与供电电压产生的组合入H04N 3/00）〔4，2011.01〕 H04N5/30 转变光或模拟信息为电信号（H04N 5/222优先；扫描零部件入H04N 3/00）〔2，4，7〕 H04N5/335 利用固态图像传感器〔SSIS〕（H04N 5/32，H04N 5/33优先）〔4，2011.01〕	IPC分类号	H;0;4;N;5;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人	须川成利;日本德州仪器株式会社	申请人地址	日本国宫城县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	国立大学法人东北大学	当前权利人	国立大学法人东北大学
发明人	须川成利;足立理;矢幡恭一;寺田达矢
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	李香兰

摘要

提供维持高灵敏度、高S/N比的同时能实现宽动态范围的固体摄像装置和光传感器、维持高灵敏度、高S/N比的同时能实现宽动态范围的固体摄像装置的动作方法。把接收光并且产生、积蓄光电荷的光电二极管PD、积蓄从光电二极管溢出的光电荷的积蓄电容元件Cs经由转送晶体管Tr1连接的结构的像素集成为阵列状。这里，积蓄电容元件Cs采用在从光电二极管PD的积蓄期间内以给定的期间比率设定的积蓄电容元件积蓄期间TCS中，积蓄从光电二极管PD溢出的光电荷。

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