半导体装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03102958.2
IPC分类号：--
申请日期：
2003-01-21
申请人：
三菱电机株式会社

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置及其制造方法
申请号	CN03102958.2	申请日期	2003-01-21
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2003-12-03	公开/公告号	CN1459828
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三菱电机株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱电机株式会社	当前权利人	三菱电机株式会社
发明人	山田哲也;上野敦史;辻田好一郎;山口敦美;冈川崇
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	杨凯;叶恺东

摘要

为了抑制随栅电极的细线化而引起的长度方向的缩短，而对在蚀刻栅电极材料膜4形成栅电极时成为掩模的硬掩模5a作细线化处理。这时，预先形成有源区1上有开口部11的光刻胶掩模10；至少用光刻胶掩模10覆盖硬掩模5a的长度方向上的两端部分，且至少将开口部11处硬掩模5a的有源区1正上方部分整个露出。通过以光刻胶掩模10为掩模的蚀刻使硬掩模5a细线化，硬掩模5a的有源区1上的部分被细线化，但其长度方向上不随之被缩短。结果，用经细线化的硬掩模5a形成的栅电极的长度不被缩短。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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