垂直腔面发射激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN200910166719.1
IPC分类号：H01S5/183
申请日期：
2009-08-14
申请人：
索尼株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	垂直腔面发射激光器
申请号	CN200910166719.1	申请日期	2009-08-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2010-02-17	公开/公告号	CN101651287
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/183 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/10 光学谐振腔的结构或形状〔7〕 H01S5/18 面发射〔SE〕激光器〔7〕 H01S5/183 具有垂直腔的〔VCSE-激光器〕〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;1;8;3查看分类表>
申请人	索尼株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	索尼株式会社	当前权利人	索尼株式会社
发明人	前田修;增井勇志;汐先政贵;荒木田孝博;河角孝行
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	彭久云

摘要

本发明提供垂直腔面发射激光器，从基板侧依次包括：第一多层膜反射器；有源层，具有发光区域；第二多层膜反射器；以及反射率调整层。第一多层膜反射器和第二多层膜反射器具有层叠结构，其中振荡波长λx的反射率几乎为常数而不依赖于温度变化。有源层由在温度高于常温时获得最大增益的材料制作。反射率调整层具有层叠结构，其中发光区域的中心区域的相对区域的反射率Rx与发光区域的外边缘区域的相对区域的反射率Ry之差ΔR(＝Rx-Ry)随着温度从常温增加到高温而增加。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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