R-T-B系永磁体

发明专利有效专利

申请号：
CN200480015078.5
IPC分类号：H01F1/04;H01F1/08;H01F41/02;C22C38/00
申请日期：
2004-06-24
申请人：
TDK株式会社

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著录项信息

专利名称	R-T-B系永磁体
申请号	CN200480015078.5	申请日期	2004-06-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2006-07-05	公开/公告号	CN1799111
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F1/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F1/00 按所用磁性材料区分的磁体或磁性物体；磁性材料的选择 H01F1/01 无机材料的（H01F 1/44优先）〔6〕 H01F1/03 按其矫顽力区分的〔6〕 H01F1/032 硬磁材料的〔6〕 H01F1/04 金属或合金〔6〕	IPC分类号	H;0;1;F;1;/;0;4;;;H;0;1;F;1;/;0;8;;;H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;C;2;2;C;3;8;/;0;0查看分类表>
申请人	TDK株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TDK株式会社	当前权利人	TDK株式会社
发明人	日高彻也;冈田宏成;坂元一也;坂本健;中山靖之;山本智实
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	陈建全

摘要

一种R-T-B系永磁体(1)，其具有磁体基体(2)和包覆在磁体基体(2)表面上的保护膜(3)，所述磁体基体(2)由至少含有主相和晶界相的烧结体构成，而且在其表层部形成有富氢层(21)，该富氢层(21)中氢浓度达300ppm或以上的厚度为300μm或以下(不含0μm)，其中所述主相由R2T14B晶粒(其中，R为稀土类元素的1种、2种或更多种，T为以Fe或者Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种的过渡金属元素)构成，所述晶界相比该主相含有更多的R。根据该R-T-B系永磁体(1)，其不使磁特性退化而能够使形成有保护膜(3)的R-T-B系永磁体(1)的耐蚀性得以提高。另外，对采用电镀方法进行的保护膜(3)的形成也可能适用，且生产效率几乎不会降低，能够充分确保作为形成保护膜(3)的本来目的的耐蚀性。再者，能够提供表面部分的局部损坏(颗粒脱落)受到抑制、尺寸精度较高的R-T-B系永磁体(1)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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