半电池的制备方法、半电池和具有其的太阳能电池

发明专利有效专利

申请号：
CN202110671612.3
IPC分类号：H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46
申请日期：
2021-06-17
申请人：
中国科学院物理研究所

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著录项信息

专利名称	半电池的制备方法、半电池和具有其的太阳能电池
申请号	CN202110671612.3	申请日期	2021-06-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-14	公开/公告号	CN113394348A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕 H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6查看分类表>
申请人	中国科学院物理研究所	申请人地址	北京市海淀区中关村南三街八号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院物理研究所	当前权利人	中国科学院物理研究所
发明人	孟庆波;赵文燕;李冬梅;石将建;罗艳红;吴会觉
代理机构	北京智汇东方知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	刘长江

摘要

本发明提供了一种半电池制备方法、半电池和太阳能电池，其中，半电池制备方法包括将镉盐、二甲基胺铅碘、碘化铯、N,N‑二甲基甲酰胺、二甲亚枫混合形成钙钛矿前驱液。将钙钛矿前驱液旋涂在覆盖有第一载流子传输层的透明电极上，在第一载流子传输层上形成钙钛矿前驱膜。将负载有钙钛矿前驱膜和第一载流子传输层的透明电极进行退火处理，得到半电池，其中退火后的钙钛矿前驱膜称为钙钛矿薄膜，钙钛矿薄膜包括镉掺杂的CsPb(I,Br)3晶体。其中的钙钛矿前驱膜包括镉掺杂的CsPb(I,Br)3晶体，镉掺杂的CsPb(I,Br)3晶体有效解决了无机钙钛矿薄膜的晶体缺陷，提高结晶质量，提高光生载流子寿命和迁移率，获得高效率、高稳定性的钙钛矿太阳能电池。

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