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一种配置气体离子源的真空离子镀膜机

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200410097124.2
  • IPC分类号:C23C14/46
  • 申请日期:
    2004-12-10
  • 申请人:
    北京丹鹏表面技术研究中心
著录项信息
专利名称一种配置气体离子源的真空离子镀膜机
申请号CN200410097124.2申请日期2004-12-10
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2005-05-11公开/公告号CN1614080
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C23C14/46IPC分类号C;2;3;C;1;4;/;4;6查看分类表>
申请人北京丹鹏表面技术研究中心申请人地址
北京市海淀区西三旗东路建筑涂料厂院内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京丹鹏表面技术研究中心当前权利人北京丹鹏表面技术研究中心
发明人董骐;杜建;钟钢;张首忠;罗蓉平
代理机构北京清亦华知识产权代理事务所代理人廖元秋
摘要
本发明涉及一种配置气体离子源的真空离子镀膜机,属于真空离子镀膜技术领域。本镀膜机至少包括一个真空室和其中的一套导电工件转架和一台气体离子源,以及一台直流或者一台脉冲直流电源;电源通过三组开关分别为导电工件转架建立负偏压及驱动该气体离子源;第一、第二组均由两个同时开闭的开关组成,且不得同时开闭;该电源的正极通过第一组的一个开关与气体离子源的阳极相连,该电源的正极同时通过第二组的一个开关与真空室壁相连;该电源的负极同时通过第一组的另个开关和第二组的另个开关与导电工件转架相连;导电工件转架和真空室壁分别接在第三组开关的两端上。本发明可充分发挥气体离子源和电源的功能,减少设备配置成本。

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