一种改善铝锗共晶键合工艺的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510189305.6
IPC分类号：B81C3/00
申请日期：
2015-04-17
申请人：
上海华虹宏力半导体制造有限公司

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著录项信息

专利名称	一种改善铝锗共晶键合工艺的方法
申请号	CN201510189305.6	申请日期	2015-04-17
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-09	公开/公告号	CN104891429A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C3/00 从单独处理过的部件组装装置或系统〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;3;/;0;0查看分类表>
申请人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	黄锦才;刘玮荪
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	郑玮

摘要

本发明提供了一种改善铝锗共晶键合工艺的方法，包括：在CMOS封装晶圆上依次形成用于键合的钛元素层和铝金属层；而且在MEMS晶圆上依次形成用于键合的附加钛元素层、附加铝金属层和锗金属层；此后，使得铝金属层与锗金属层接触，并对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压，从而实现铝锗共晶键合。附加铝金属层的厚度≤对铝金属层与锗金属层的接触面加热和加压时的温度为435℃，压力为30KN。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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