泄漏测量系统、半导体制造系统和泄漏测量方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011038083.5
IPC分类号：G01M3/24;H01L21/67;H01L21/66
申请日期：
2020-09-28
申请人：
东京毅力科创株式会社

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著录项信息

专利名称	泄漏测量系统、半导体制造系统和泄漏测量方法
申请号	CN202011038083.5	申请日期	2020-09-28
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-09	公开/公告号	CN112629769A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01M3/24 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01M 机器或结构部件的静或动平衡的测试；其他类目中不包括的结构部件或设备的测试 G01M3/00 结构部件的流体密封性的测试 G01M3/02 应用流体或真空 G01M3/04 通过在漏泄点检测流体的出现 G01M3/24 应用次声、声或超声振动	IPC分类号	G;0;1;M;3;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;6查看分类表>
申请人	东京毅力科创株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东京毅力科创株式会社	当前权利人	东京毅力科创株式会社
发明人	国武悠太
代理机构	北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人	龙淳;刘芃茜

摘要

本发明提供能够更简易地测量半导体制造装置的泄漏的泄漏测量系统、半导体制造系统和泄漏测量方法。本发明的一个方式的泄漏测量系统是测量半导体制造装置的泄漏的泄漏测量系统，其包括：与上述半导体制造装置接触或连接的振动传感器；基于上述振动传感器检测的振动数据来生成振动波形图像的图像生成部；和基于上述图像生成部生成的上述振动波形图像对上述半导体制造装置的泄漏进行分析的分析部。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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