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磁性随机存储器记忆单元及其读写和抗干扰方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510608723.4
  • IPC分类号:H01L27/22;H01L43/08
  • 申请日期:
    2015-09-22
  • 申请人:
    上海磁宇信息科技有限公司
著录项信息
专利名称磁性随机存储器记忆单元及其读写和抗干扰方法
申请号CN201510608723.4申请日期2015-09-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-06-01公开/公告号CN105633109A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/22IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;2;2;;;H;0;1;L;4;3;/;0;8查看分类表>
申请人上海磁宇信息科技有限公司申请人地址
上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海磁宇信息科技有限公司当前权利人上海磁宇信息科技有限公司
发明人郭一民;陈峻;肖荣福;夏文斌;戴瑾
代理机构上海容慧专利代理事务所(普通合伙)代理人于晓菁
摘要
本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元,包括堆叠结构和自旋阀控制层,堆叠结构包括:磁性参考层、磁性记忆层、隧道势垒层、中间层和自旋阀层;磁性参考层的磁化方向不变且磁各向异性垂直于层表面;磁性记忆层和自旋阀层的磁化方向可变且磁各向异性垂直于层表面;隧道势垒层位于磁性参考层和磁性记忆层之间且分别与磁性参考层和磁性记忆层相邻;中间层与磁性记忆层相邻;自旋阀层的磁各向异性小于磁性记忆层的磁各向异性;自旋阀层与所述中间层相邻;自旋阀控制层是与堆叠结构相间隔设置的导电层。本发明还提供了一种上述磁性随机存储器记忆单元的读写和抗干扰方法,以及基于以上设计构思的另一种记忆单元及其读写和抗干扰方法。

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