一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010030275.5
IPC分类号：H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/18;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58
申请日期：
2020-01-13
申请人：
吉林大学

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著录项信息

专利名称	一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法
申请号	CN202010030275.5	申请日期	2020-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-05-05	公开/公告号	CN111106202A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/108 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/108 为肖特基型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;1;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;1;8;;;C;2;3;C;1;4;/;3;5;;;C;2;3;C;1;4;/;5;8查看分类表>
申请人	吉林大学	申请人地址	吉林省长春市前进大街2699号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	吉林大学	当前权利人	吉林大学
发明人	陈占国;李方野;赵纪红;刘秀环;王帅;陈曦;侯丽新;高延军
代理机构	长春吉大专利代理有限责任公司	代理人	刘世纯;王恩远

摘要

一种基于氮化镁薄膜的光电探测器件及其制备方法，属于半导体光电探测器领域。首先采用磁控溅射或蒸镀技术在衬底上生长一层过渡金属电极，并利用湿法或干法刻蚀技术制备出叉指电极结构，然后采用反应射频磁控溅射方法在制备好叉指电极结构的衬底上生长Mg3N2薄膜，最后在Mg3N2薄膜上原位溅射生长一层BN或AlN薄膜作为Mg3N2保护层，从而得到基于Mg3N2薄膜的光电探测器件。本发明拓展了Mg3N2在光电功能材料与器件领域中的应用。BN或AlN薄膜不仅有效抑制了Mg3N2薄膜的水解，提高了Mg3N2薄膜的稳定性，而且在红外、可见光和大部分紫外波段都是透明的，是Mg3N2光电器件理想的光学窗口。

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