多引线通孔的形成方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010119994.0
IPC分类号：H05K3/40;H05K3/42;H05K3/06
申请日期：
2010-02-04
申请人：
日月光半导体制造股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	多引线通孔的形成方法
申请号	CN201010119994.0	申请日期	2010-02-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-08-10	公开/公告号	CN102149255A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H05K3/40 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H05 其他类目不包含的电技术 H05K 印刷电路；电设备的外壳或结构零部件；电气元件组件的制造（其他类目不包括的仪器零部件或其他设备的类似零部件入G12B；薄膜或厚膜电路入H01L 27/01，H01L 27/13；用于对印刷电路或印刷电路之间的电连接的非印刷方法入H01R；用于特殊类型设备的外壳或其结构零部件，见有关小类；仅包括单一工艺的加工方法，例如已列入其他类目的加热、喷射，见有关的类） H05K3/00 用于制造印刷电路的设备或方法（结构表面或图形表面照相制板的制作、所用的材料或原图、其专用的设备，一般入G03F；包括有半导体器件制造的入H01L）〔3〕 H05K3/40 用于对印刷电路或印刷电路之间提供电连接而形成印制元件〔3〕	IPC分类号	H;0;5;K;3;/;4;0;;;H;0;5;K;3;/;4;2;;;H;0;5;K;3;/;0;6查看分类表>
申请人	日月光半导体制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾高雄市楠梓加工出口区经三路26号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	日月光半导体制造股份有限公司	当前权利人	日月光半导体制造股份有限公司
发明人	陈敏尧;庄茂樟;李明锦;王建皓
代理机构	上海专利商标事务所有限公司	代理人	陆勍

摘要

一种多引线通孔的形成方法，包括提供一基材，至少具有一第一表面和一孔洞，孔洞具有孔壁；形成一第一导电层于基材的整个表面和孔壁上；形成一光阻层于第一导电层的整个表面上，且选择性地图案化光阻层，以在第一导电层上定义出多个侧向分离区域；以图案化光阻层为一屏蔽，在该些侧向分离区域上电镀一第二导电层，且第二导电层的厚度实质上大于第一导电层的厚度；移除图案化光阻层；以及实质上地移除未被第二导电层覆盖的部分第一导电层因而形成多条在第一表面上延伸并通过孔洞的侧向分离的引线。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供